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二氧化锡掺氧化铟颗粒

二氧化锡掺氧化铟颗粒

SnO2:In2O3定制规格、配比,纯度99.99%,用于电子束蒸镀、RPD镀膜等

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材料参数

SnO2:In2O3定制规格、配比,纯度99.99%,用于电子束蒸镀、RPD镀膜等


我司专注于为科研及小批量用户提供定制化溅射靶材、蒸发镀膜材料和RPD(反应等离子体沉积)镀膜解决方案,支持陶瓷掺杂材料、合金材料等多种体系,涵盖粉末冶金与熔炼工艺,纯度范围99%-99.999%,规格灵活适配(最小起订量100g),满足前沿研究与新型器件开发需求。

不同配比的SnO2和In2O3掺杂材料具有不同的特性,在不同的科研领域有广泛的应用,我公司可定制各种配比、不同规格的溅射靶材、蒸发料、RPD镀膜材料:

一、主要用途:

1.透明导电薄膜

·低成本透明电极

不同配比的SnO2In2O3材料,相比于传统的ITO,导电性会有差异,但可通过优化工艺实现特定场景的透明导电需求,例如:柔性电子器件(PET基板)的透明电极,兼顾机械柔性和中等导电性抗静电涂层或低功耗显示器的辅助导电层。

·特殊光学器件

利用SnO2的高折射率(~2.0)和In2O3的宽带隙特性,制备抗反射涂层或透明隔热膜,用于太阳能集热器或建筑玻璃

2.光电器件功能层

·太阳能电池的电子传输层

SnO2:In2O3薄膜可作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层(ETL),In掺杂可改善载流子迁移率,提升电池效率。

·光电催化薄膜

掺杂In的SnO2薄膜,用于光解水或CO2还原反应,In的引入可能调节带隙结构并增强光吸收

3.新型半导体器件研究

·p型氧化物半导体

传统SnO2n型半导体,通过In掺杂可能调控载流子浓度,研究新型p-n结器件或互补型氧化物电路。

·忆阻器材料

利用SnO2:In2O3界面缺陷态的可控性,开发非易失性存储器或类脑计算器件

4.气体传感器薄膜

·高灵敏度气体检测

SnO2本身是典型的气敏材料,掺杂一定比例的In2O3可优化其电子结构和表面活性位点,提升对还原性气体(如H2CO)或氧化性气体(如NO2)的响应速度和选择性应用环境监测、工业安全中的痕量气体检测

·高温稳定性传感器

SnO2的高温稳定性(>300℃)结合In2O3的催化活性,适用于高温环境下的气体传感器,如汽车尾气监测

5.特殊功能涂层

·透明电磁屏蔽膜

利用SnO2:In2O3复合薄膜的导电性和透光性,开发透明电磁屏蔽材料,适用于电子设备屏幕或军用隐身涂层。

·耐腐蚀涂层

SnO2的化学惰性结合In2O3的稳定性,可制备耐酸碱或高温氧化的保护涂层,用于化工设备或航空航天材料。

6.其他潜在方向

·生物传感器:利用薄膜表面修饰技术检测生物分子(如葡萄糖)。

·湿度传感器:通过In掺杂优化SnO2的吸湿性响应。

·压电器件:研究SnO2:In2O3复合薄膜的压电效应,用于能量收集

二、可供应的与SnO2:In2O3配合使用的其它材料

与二氧化锡掺氧化铟(SnO2:In2O3,类似ITO但成分比例不同)薄膜配合使用的其他薄膜类型多样,具体取决于应用场景。以下为我公司可供应的主要材料分类及典型组合,更多其它相关材料欢迎您联系客服咨询:

1.透明导电氧化物(TCO)薄膜

·铝掺杂氧化锌(ZnO:AlAZO)

应用:与SnO2:In2O3组成双层或多层透明导电结构,优化导电性和透光率,用于柔性显示器或太阳能电池成本低于传统ITO,且机械柔韧性更好。

·掺氟氧化锡(SnO2:FFTO)

作为基底或中间层,用于钙钛矿太阳能电池,增强电荷传输效率高温稳定性强,适合与SnO2:In2O3薄膜复合以提升耐候性。

·氧化铟锡锌(ITZO)

用于高分辨率显示屏的透明电极,与SnO2:In2O3搭配可调节载流子迁移率,降低电阻率

2.半导体功能层

·二氧化钛(TiO2

作为电子传输层(ETL)与SnO2:In2O3透明电极组合,用于钙钛矿或染料敏化太阳能电池,利用其宽带隙和高电子迁移率提升光生载流子分离效率。

·氧化镍(NiO)

应作为空穴传输层(HTL)SnO2:In2O3电极配合,形成p型半导体,可平衡电荷传输路径用于倒置结构太阳能电池或OLED器件。

·非晶硅(a-Si)或晶硅(c-Si)

应在薄膜太阳能电池中,SnO2:In2O3作为前电极,与硅吸收层结合,优化光吸收与导电性

3.金属电极与反射层

·银(Ag)、铝(Al)

利用其高导电性和高可见光反射率,作为背反射层或辅助导电层,与SnO2:In2O3复合用于太阳能电池,增强光反射和电流收集。

·铜(Cu)金(Au)

在柔性电子器件中,与SnO2:In2O3形成复合电极,兼顾柔韧性和低电阻

4.介电与保护层

·二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4

作为钝化层或绝缘层,覆盖在SnO2:In2O3表面,减少界面缺陷和电荷复合,提升器件稳定性。

·氧化铝(Al2O3

在气敏传感器中,作为保护层包裹SnO2:In2O3薄膜,提高耐腐蚀性和选择性

5.光学功能层

·氟化镁(MgF2)或二氧化钛(TiO2

SnO2:In2O3组成抗反射涂层(如MgF2/SnO2:In2O3/TiO2),用于光伏玻璃或光学器件,降低反射损失。

·氧化钨(WO3)或氧化锌(ZnO)

在复合型气体传感器中,与SnO2:In2O3形成异质结,增强对特定气体(如NO2H2)的响应灵敏度

6.特殊功能薄膜

·铁磁材料(如Fe3O4

SnO2:In2O3复合制备磁电耦合器件,用于存储器或电磁屏蔽材料。

·超导氧化物(如YBCO)

在高温超导器件中,SnO2:In2O3作为缓冲层,与超导薄膜结合,优化界面晶格匹配

 

不同配比的SnO2:In2O3薄膜特性和应用领域不同,某一具体配比的物理性质需要您查阅相关文献等资料,以下为部分二氧化锡掺氧化铟(SnO2:In2O3)薄膜配比及应用领域,仅供参考:

1.In2O3:SnO2=90:10 wt%(传统ITO配比)

·透明导电薄膜:用于显示器件、太阳能电池、电磁屏蔽等,具有高透光率(>85%)和低电阻率(10-4–10-3 Ω·cm)。

·触摸屏与柔性电子:作为透明电极,适配PET等柔性基底,兼顾导电性和机械柔韧性

2.In2O3:SnO2=95:5 wt%

·低掺杂透明导电膜:研究其光学和电学性能,探索替代传统ITO的可能性,降低铟的使用量以节约成本,或者用于电磁屏蔽膜。

3.In2O3:SnO2=97:3 wt%(低铟掺杂)

·光电器件功能层:用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层(ETL),通过In掺杂调节载流子迁移率

4.SnO2:In2O3=97:3 wt%

·气敏传感器:优化SnO2的电子结构,提升对还原性气体(如H2CO)的响应灵敏度和选择性,适用于环境监测和工业安全检测。

·高温传感器:SnO2的高温稳定性(>300℃)与In2O3的催化活性结合,用于汽车尾气监测等场景。

5.SnO2:In2O3=高比例掺杂(如In2O3=5%-20%

·气敏传感器优化:通过掺杂量调控表面活性位点,增强对特定气体(如NO2H2)的响应。

·透明隔热膜:利用SnO2的高折射率和In2O3的宽带隙特性,开发建筑玻璃或太阳能集热器的功能涂层

6.其他研究型配比

·SnO2:F或SnO2:Sb:掺氟或锑的SnO2薄膜常用于透明导电层,但掺铟体系(如SnO2:In)因铟的催化特性更适用于传感器领域。

·多元掺杂体系(如SnO2:In:W):结合钨的高温稳定性,用于特殊环境下的电磁屏蔽或光电催化

 

目前实际应用最广泛的是In2O3:SnO2=90:10 wt%(传统ITO),而科研中探索的配比(如95:5、97:3)多聚焦于降低成本或优化特定性能。具体选择需根据导电性、透光率及环境耐受性需求调整

作为专业的材料解决方案供应商,我们不仅提供溅射靶材、蒸发镀膜材料、合金熔炼材料、粉末材料等多元化标准产品,更以深度定制化服务为核心优势,赋能客户实现精准需求匹配!无论是特殊掺杂的陶瓷靶材、非标成分的蒸发料,还是复杂配比的合金,我们均可根据您的应用场景、性能指标及工艺要求,量身打造专属材料解决方案。从需求分析、配方设计到样品试制与量产交付,我们依托先进的研发平台、灵活的生产体系及严格的质量管控,确保每一款定制产品兼具高纯度、高一致性与卓越性能表现,助力客户在半导体、新能源、光电显示等领域突破技术瓶颈,抢占先机!您的独特需求,正是我们的创新起点——即刻联系我们,开启高效协同的定制化合作之旅!

1.起订量

溅射靶材1片起订;颗粒和粉末材料一般50-100g起订,贵金属材料5-10g起订;定制类材料1件起订

2.包装

除常规包装外,我们也可以根据需求,免费为您拆分特殊用量的包装

3.报价

由于市场行情变动,部分材料价格可能会有变动,请随时联系客服获取最新报价

4.运输

常规材料顺丰快递邮寄,部分特殊材料德邦快递邮寄

5.发票

提供正规增值税普通发票和增值税专用发票

6.分析报告

您可通过电话、邮件、微信、QQ等方式联系我们,获取您所需材料的成分分析报告

7.退换货

定制加工类材料,如非材料质量问题不支持退换。其它材料如需退换货,请在收到货后30日内提出